另外，只有在国际半导体大赛正式结束之后。
国际半导体大赛举办方才会彻底公布所有的参赛作品。
很快，国际半导体大赛就正式开启了。
也瞬间吸引了无数国家的关注。
第一轮的筛选赛好呢快就过去了。
接下来是真正死伤惨重的淘汰赛了。
这淘汰赛将会淘汰参加这次国际半导体比赛三分之二的参赛队伍。
因此这也是为何大多数大型半导体机构会派出这么多队伍来参赛的原因。
因为在这大浪淘金的淘汰模式中，队伍越多无疑就是有更多的晋级希望。
另外。
所有的国家队伍带来的产品将会由三个智能机器人裁判的评级，在淘汰赛正式确立后，将国家队伍的参赛作品和本次淘汰赛之中所有记录的作品进行一个数据比较和分析。
然后决定是否合适投入到淘汰赛中，合适的就直接投入到淘汰赛之中。
如果不合适，如果是数据超过太多，将会直接免过淘汰赛，晋级到俩千强，但是并不直接和俩千强的参赛作品进行比赛。
因为还要将其对俩千强比赛作品进行一个数据比较和综合分析，判断其是否合适投入到这一档的比赛。
如果适合就直接和一众民间半导体队伍的参赛作品进行评级。
如果不合适就代表数据和综合分析超过当下大部分产品太多。
将会无条件晋级到一千强。
后续的比赛将一直重复这个规则一直到六十四强。
因为按照往年的国际半导体比赛，大部分国家队伍的参赛作品基本上到了六十四强就不会出现差距太大的产品了。
而这样的规则，也极大地保证了在比赛过程中，因为国家队伍的产品和民间半导体产品差距太大而造成的不公平。
因此这也正是每个国家和机构都无比热衷参加这个比赛的一个重要的原因。
很快。
淘汰赛就正式开始了。
场外所有的参赛队伍无不是在紧张的等待着最后的结果。
而此时内部，三台智能机器人正在将所有参赛的民间队伍的作品的信息进行汇总。
很快，他们的屏幕上就显示了一连串某个国家的参赛作品！
“参赛国家：乌国乌半导体机构。”
“参赛作品：动态随机存取存储器（dRAm）。”
“已经输入该产品的研制信息，正在分析设计过程和设计板块：”
“存储单元设计：dRAm的存储单元是其核心组成部分，设计时要考虑其微缩性和稳定性。目前，堆叠式电容存储单元已成为业界主流，特别是在70nm技术节点后。
工艺确定方面：确定dRAm的制造工艺，包括cmoS场效应晶体管的制备、电容器的形成等。堆叠式电容存储单元通常在cmoS场效应晶体管之后形成，而深沟槽式电容存储单元则在cmoS场效应晶体管之前形成。
选择高质量的硅基板作为dRAm的基础材料。
准备其他所需的材料，如用于电容器电极的tiN薄膜等。
硅基板处理：对硅基板进行清洗、抛光等预处理，以确保其表面质量。
cmoS场效应晶体管制备上，在硅基板上通过一系列工艺步骤制备cmoS场效应晶体管，包括氧化、光刻、掺杂等。
电容器形成上，根据设计，形成电容器。对于堆叠式电容存储单元，电容器在cmoS场效应晶体管之后形成；对于深沟槽式电容存储单元，电容器在cmoS场效应晶体管之前形成。
埋藏字线及主动区制备方面，在硅基板中埋藏字线，并在载体表面上形成主动区。埋藏字线与主动区相交，且在主动区中的宽度大于在主动区外的宽度。
其他结构制备领域，根据需要，制备其他相关结构，如传输管等。
对制造的dRAm进行严格的测试，包
